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PVD vs CVD:两种真空镀膜技术路线怎么选

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发表于 2026-9-4 15:00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
<p>VD(物理气相沉积)和 CVD(化学气相沉积)是真空镀膜的两大路线,原理、产物、适用场景差异很大。</p><p><b>VD</b>:物理过程(蒸发/溅射),低温成膜,产物多为金属、合金、氧化物、氮化物镀层。优点是工艺温度低、基材兼容广、环保;缺点是绕镀性差(直线沉积)、深孔盲区多。</p><p><b>CVD</b>:化学过程(前驱体反应),常需较高温度,产物可为聚合物(如派瑞林)、无机膜。优点是绕镀性好、能包覆复杂结构、膜层均匀;缺点是温度/设备门槛高、成本高。</p><p><b>电子防护选型</b>:</p><p>· 需包覆三维复杂结构、防潮绝缘 → CVD(派瑞林)</p><p>· 需导电/耐磨/装饰等功能性镀层 → PVD</p><p>· 大批量、低成本、简单平面件 → PVD 更有优势</p><p>二者不是竞争而是互补,很多高端产品会叠加使用。</p>
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